碳热还原合成碳化硅

碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟

为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理，从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础，采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场、压力场、气体流动规律进行模拟研究。结果表明，随着合成时间的延长，炉内热量呈辐射状向外扩散，合成炉内气体呈现三维多向流动特性，反应进行到24 h时CO实验表明，微波辅助碳热还原法具有成本低、产量大、反应时间短、尺寸相对较小等优点，具有工业化应用的前景参考文献： FisselAArtificially layered heteropolytypic structures based SiCpolytypes: molecular beam epitaxy, characterization properties [J]Phy ReP, 2003, 379: 149255 YongshengLiu微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体豆丁网

科学网—溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅郭向云的博文

溶胶凝胶和碳热还原制备小米碳化硅在炭化时将小米在瓷舟里分散铺开后，果然就解决了炭化后颗粒粘成一块儿的问题，成功得到了强度比较好的颗粒状碳模板。接下来就是将事先制备好的硅溶胶渗透或者说填充到碳模板中，让它们在高温下发生碳热还原碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液碳化硅的制备方法 Baidu

碳热还原法合成碳化硅晶须的研究其它代码类资源CSDN文库

碳热还原法合成碳化硅晶须的研究,碳热还原法合成碳化硅晶须的研究，万隆，汪洋，以工业硅溶胶和炭黑为主要原料，用溶胶凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须。获得的产物中碳化硅含量高于95％，碳化硅晶须含量高于74％更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道22 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响图2给出了加入20% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱在2θ=356°处出现了明显的3CSiC衍射峰,说明已经生成了3CSiC。当反应Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理

碳化硅的制备方法找耐火材料网

碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液此外，固相法又分为碳热还原法、机械粉碎法及自蔓延高温合成(SHS)法。 (1)碳热还原法。传统的碳热还原法是由Acheson发明的，它是在Acheson电阻炉中，将纯度较高的石英砂和固定碳含量较高的石油焦的混合物加热到2500℃左右，让其充分反应，将石英砂中SiO2被C还原制得SiC，所得反应产物以αSiC为主。碳化硅的制备方法、应用以及2020年市场行情一览 UIV Chem

【2021年第4期】原料粒度对合成碳化硅的影响研究反应

根据相关研究报道 [ 3334 ] ，碳热还原反应总反应式(1)是由气体和固体之间的分步反应共同完成的。在高温反应过程中，SiO 2 首先发生反应式(2)生成气相SiO和CO，而产生的SiO气体分子聚集在碳表面生成碳化硅晶核 [ 35] ，晶核最终生长成为碳化硅颗粒，如反应式(3)所示。碳化硅粉体制备技术有哪些？ SiC 是一种非常重要的工业原料，凭借高熔点、高热导率、抗氧化性好、高温强度高、化学稳定性高、耐磨性能好等优点，作为一种结构材料被广泛应用于众多领域。最早用于制备 SiC 粉体的方法是碳热还原法，也被称为 Acheson 法碳化硅粉体制备技术有哪些？腾讯新闻

碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟

为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理，从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础，采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场、压力场、气体流动规律进行模拟研究。结果表明，随着合成时间的延长，炉内热量呈辐射状向外扩散，合成炉内气体呈现三维多向流动特性，反应进行到24 h时CO研究了热源及其结合部能量及物质的传递过程,揭示了碳热还原合成碳化硅能量及物质扩散机理。研究表明,随着合成反应的进行,大量气相物质会首先从热源周围向四周扩散,气相物质穿过热源周围的SiC结晶层,产生大量孔隙,反应进行到6072h时,热源周围温度达到碳热还原合成SiC过程中能量及物质流扩散机理研究pdf

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此外，固相法又分为碳热还原法、机械粉碎法及自蔓延高温合成(SHS)法。 (1)碳热还原法。传统的碳热还原法是由Acheson发明的，它是在Acheson电阻炉中，将纯度较高的石英砂和固定碳含量较高的石油焦的混合物加热到2500℃左右，让其充分反应，将石英砂中SiO2被C还原制得SiC，所得反应产物以αSiC为主。碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液碳化硅的制备方法找耐火材料网

不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响找耐火材料网

摘要：探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响，采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算，得出理论反应起始温度;探究了分别以石油焦、活性炭、石墨粉和蔗糖为还原剂对冶炼效果的影响。研究表明：以硅微粉为硅源通过碳热还原反应制备碳化硅的冶炼根据相关研究报道 [ 3334 ] ，碳热还原反应总反应式(1)是由气体和固体之间的分步反应共同完成的。在高温反应过程中，SiO 2 首先发生反应式(2)生成气相SiO和CO，而产生的SiO气体分子聚集在碳表面生成碳化硅晶核 [ 35] ，晶核最终生长成为碳化硅颗粒，如反应式(3)所示。【2021年第4期】原料粒度对合成碳化硅的影响研究反应

碳热还原法

碳热还原法是一种能降低生产成本和颗粒大小，提高产物纯度和电导率的新型制备方法。PPProsini等以(NH4)2Fe(SO4)2和NH4H2PO4为原料首先合成FePO4，然后用LiI还原三价Fe，并在还原性气氛下(Ar:H2=95:5）于550℃加热1 h后合成了最终样品，其在01C倍率下的室温初始放电容量为140 mAh·g1。5根据权利要求1所述的一种用于碳化硅粉体碳热还原反应智能控温装置，其特征在于：所述防护外筒(1)的内壁均匀分布有若干个加热管(12)。6根据权利要求1所述的一种用于碳化硅粉体碳热还原反应智能控温装置，其特征在于：所述安装套(14)和螺纹杆(9)之间不一种用于碳化硅粉体碳热还原反应智能控温装置的制作方法2

一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法与流程

本发明的目的是提供一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法，通过选择原料配合工艺流程，在低温合成基础上，制备高纯度碳化硅，降低成本的同时提高生产效率。本发明的方法包括以下步骤： 1、制备凝胶：准备硅源水玻璃，催化剂盐酸，表面活性剂偶联这些纳米线表面光滑，直径均匀，长度驱体不均匀，溶液中的二氧化硅没能充分包裹淀粉，高温碳不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响／郝建英等 ·75 · 热还原时反应速率变慢，得到的碳化硅的比表面积降低。 2．7 碳硅比对荧光性能的影响 2．5 反应不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响pdf

合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响百度学术

以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成的SiC22 反应温度对Fe催化硅藻土碳热还原反应合成碳化硅的影响图2给出了加入20% Fe做催化剂时不同温度下反应3 h后所得产物的XRD 图谱。图2表明,当反应温度为1300℃时产物的XRD图谱在2θ=356°处出现了明显的3CSiC衍射峰,说明已经生成了3CSiC。当反应Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3CSiC及其机理

碳热还原制备碳化硅纳米线(英文)《中山大学学报(自然科学版

碳热还原制备碳化硅纳米线 (英文) 【摘要】：以二氧化硅粉和竹炭粉为原料,在无催化剂的条件下,于1400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线。采用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和能谱 (EDS)分析了该纳米线的形貌和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理。结果碳热还原法合成碳化硅晶须的研究,碳热还原法合成碳化硅晶须的研究，万隆，汪洋，以工业硅溶胶和炭黑为主要原料，用溶胶凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须。获得的产物中碳化硅含量高于95％，碳化硅晶须含量高于74％更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道碳热还原法合成碳化硅晶须的研究其它代码类资源CSDN文库

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碳化硅粉体制备工艺有多种，各种合成方法中碳热还原法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产，在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液摘要通过对碳热还原合成SiC冶炼炉温度场的数值模拟及实验,揭示了冶炼炉内温度场的演变规律。研究表明,碳化硅合成过程中,热量以热源为中心呈辐射状向外传递,其合成温度(1600℃)等温面也逐渐向外扩大,表现为SiC的合成反应温区增大;SiC的大量合成发生在中后期,合成持续,SiC合成温区面碳热还原合成SiC温度场演变规律研究【维普期刊官网】中文

溶胶凝胶和碳热还原法合成碳化硅晶须的研究硅酸盐学报

溶胶凝胶和碳热还原法合成碳化硅晶须的研究,工业硅溶胶,溶胶凝胶,碳热还原反应,碳化硅晶须。以工业硅溶胶和炭黑为主要原料 ,用溶胶凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须获得的产物中碳化硅质量分数高于 95 % 知网 App 24小时专家级知识服务此外，固相法又分为碳热还原法、机械粉碎法及自蔓延高温合成(SHS)法。（1）碳热还原法。传统的碳热还原法是由Acheson发明的，它是在Acheson电阻炉中，将纯度较高的石英砂和固定碳含量较高的石油焦的混合物加热到2500℃左右，让其充分反应，将石英砂中SiO2被C还原制得SiC，所得反应产物以αSiC为主。SiC材料应用研究（一）一、碳化硅材料的前世今生 11碳

以酚醛树脂为碳源低温催化反应合成碳化硅粉体硅酸盐学报PDF

备了具有周期孪晶结构的碳化硅纳米线。徐武军等[16] 以正硅酸乙酯为硅源、聚乙烯吡咯烷酮为碳 2 结果与讨论源、硝酸铁为催化剂，采用溶胶–凝胶结合碳热还原 21 反应温度对合成碳化硅的影响的方法制备了塔状的碳化硅纳米棒。这些纳米线表面光滑，直径均匀，长度驱体不均匀，溶液中的二氧化硅没能充分包裹淀粉，高温碳不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响／郝建英等 ·75 · 热还原时反应速率变慢，得到的碳化硅的比表面积降低。 2．7 碳硅比对荧光性能的影响 2．5 反应不同碳硅比对合成高比表面积碳化硅的影响pdf

应用领域

应用范围：砂石料场、矿山开采、煤矿开采、混凝土搅拌站、干粉砂浆、电厂脱硫、石英砂等
物料：河卵石、花岗岩、玄武岩、铁矿石、石灰石、石英石、辉绿岩、铁矿、金矿、铜矿等